2000年
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出快恢復(fù)高壓硅堆,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
2002年
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出區(qū)熔硅單晶,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出氣相摻雜區(qū)熔硅單晶的生產(chǎn)技術(shù),填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
2005年
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出區(qū)熔氣相摻雜太陽(yáng)能電池硅單晶的生產(chǎn)技術(shù),填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
2008年
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出摻鎵元素太陽(yáng)能直拉硅單晶的生產(chǎn)技術(shù),填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
2010年
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出高壓大電流MOSFET,填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
· 國(guó)內(nèi)首次研發(fā)出|GBT器件用區(qū)熔拋光片生產(chǎn)技術(shù),填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白
2011年
· 研制生產(chǎn)出中國(guó)首顆8英寸區(qū)熔硅單晶
2012年
· 研發(fā)出太陽(yáng)能電池用CFZ單晶生產(chǎn)技術(shù)
· 研制生產(chǎn)出信息安全專(zhuān)用激光打印機(jī)
2015年
· 研發(fā)出熒光量子點(diǎn)微納米級(jí)封裝的復(fù)合材料結(jié)構(gòu) |